IT之家 9 月 14 日消息，杭州镓仁半导体有限公司宣布，依托自主开发的 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备，在全球范围内首次达成 12 英寸氧化镓晶体的等径生长。
据介绍，等径生长是晶体迈向产业化的关键环节。唯有形成直径恒定的等径段，晶锭才能具备连续稳定、可直接用于切割和打磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片越多，单片衬底的成本也随之降低。
同时，12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容性高，能显著降低下游的设备投资及产线切换费用，并缩短研发周期。
IT之家注意到，今年 3 月，镓仁半导体已实现全球首次 8 英寸氧化镓同质外延生长，相关成果获得了国内外第三方机构的权威认证。
官方指出，镓仁半导体自研的 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备温控精度达到 ±0.1 ℃，具备“设备加工艺包”一体化能力，完成了从 2 英寸到 12 英寸晶体的快速迭代。
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